一、800V平台带来的技术变革
2026年,全球新能源汽车渗透率持续攀升,800V高压架构已成为行业主流技术路线,传统硅基IGBT功率模块已难以适配高压、高频工况下的散热与损耗要求。碳化硅(SiC)功率器件的规模化应用,虽显著提升开关速度与高温耐受性,但对封装基板的导热、强度、热匹配性提出了严苛要求。在此背景下,氮化硅AMB陶瓷基板凭借室温热导率不低于80W/(m·K)、抗弯强度高、热膨胀系数小、断裂韧性优异等综合性能优势,成为SiC功率模块高导热封装基板的首选材料。例如,部分国内主流新能源车型已明确采用AMB氮化硅陶瓷基板方案,行业示范效应正在加速扩散。
二、市场规模持续扩容
从市场数据来看,2025年中国电动汽车用陶瓷基板市场规模约为25.75亿元(人民币),全球规模约为82.7亿元。预计全球市场将在预测期内以约16.71%的年复合增长率增长,到2032年有望达到243.94亿元。另有数据显示,全球汽车陶瓷基板市场2025年销售额约为92.11亿元,预计2032年将达256.7亿元。中国市场在全球陶瓷基板产销中的占比已从2020年的约8%提升至2024年的44.8%,成为全球最大的陶瓷基板产销国。这一数据表明,中国企业在产业链中的地位正在迅速提升。
三、材料路线分化趋势明显
在800V高压平台驱动的市场扩张中,三类陶瓷材料呈现出清晰的分化趋势。氧化铝陶瓷基板凭借成熟的工艺与成本优势,在中低功率领域维持稳定市场份额,导热系数约20-30W/(m·K),主要用于新能源汽车的低压功率模块和辅助电源等中低功率密度场景。氮化铝陶瓷基板凭借高达170-230W/(m·K)的导热系数和与硅芯片高度匹配的热膨胀系数,已成为优质车型首选,在800V高压主驱逆变器中能将SiC芯片结温稳定控制在较低水平。氮化硅陶瓷基板则在机械强度上突显优势,弯曲强度超过600MPa,机械强度接近氮化铝的两倍,凭借优异的抗热震循环能力,成为第三代碳化硅半导体功率器件高导热封装基板的首选材料。
四、政策支撑与产业机遇

从政策层面来看,《重点新材料首批次应用示范指导目录(2024年版)》已将“高性能陶瓷衬板、第三代功率半导体封装用AMB陶瓷覆铜基板”列为先进基础材料。氮化硅陶瓷白板也已入选相关先进基础材料支持清单,重点突破高导热与高强度协同提升技术。国家围绕产业定位、关键技术攻关、标准化与数字化转型持续发力,为行业发展提供了有力支撑。
五、对深圳亿圆电子的启示
在800V平台全面铺开的背景下,陶瓷基板行业正从规模扩张向提质增效转变。深圳亿圆电子作为深耕电子陶瓷领域的企业,可重点关注800V平台驱动下的高导热氮化硅AMB基板、氮化铝基板等优质产品的市场需求,布局相关产品线,把握产业升级的历史机遇。

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